電弧離子鍍的原理是以冷陰極真空電弧放電理論為基礎(chǔ)的。多弧離子鍍膜機(jī)的核心技術(shù)是其電弧蒸發(fā)源。多弧離子鍍膜機(jī)蒸發(fā)源是一種特殊的冷陰極電弧自蒸發(fā)和自電離固體蒸發(fā)源。

1、與傳統(tǒng)的蒸發(fā)源相比，多弧離子鍍機(jī)的電弧蒸發(fā)源優(yōu)勢明顯

2、涂層密度高，使用壽命長，強(qiáng)度高；

3、作為電弧蒸發(fā)的固體源，其形狀、尺寸和位置都可以改變；

4、工作真空范圍大；

5、較高的離子能量；

6、高電離率60%-80%；

7、高沉積速率，如tin，可獲得100nm/S～1000nm/S的高沉積速率。

多弧離子鍍膜機(jī)電弧蒸發(fā)源的原理是通過冷陰極進(jìn)行自持電弧放電，這是一種場發(fā)射。蒸發(fā)源的典型基本結(jié)構(gòu)如下：待鍍基板連接陰極，陽極連接真空室。當(dāng)真空室被抽到較高的真空狀態(tài)時(shí)，觸發(fā)電極起動器的觸點(diǎn)打開，在陽極和陰極之間形成穩(wěn)定的電弧放電。陰極表面有許多快速移動的陰極光斑，光斑直徑在1～2μm之間，10μm左右的光斑每秒可移動數(shù)十米。電流密度為10?A/cm?-10?A/cm?，電極間電壓也降低到20v-40v，陰極斑點(diǎn)前面有一些等離子體，電子迅速向陽極移動，離子處于相對靜止?fàn)顟B(tài)。在鍍膜空間中，陰極光斑前的正離子聚集成空間正電荷，在陰極表面附近形成10?V/cm~10?的高強(qiáng)度電場，克服陰極處的勢壘，通過強(qiáng)電子發(fā)射維持放電。然而，一些離子被陰極轟擊，導(dǎo)致陰極斑點(diǎn)局部快速蒸發(fā)和電離，使陰極斑點(diǎn)成為微點(diǎn)的蒸發(fā)源。在陰極靶區(qū)內(nèi)，由于絕緣屏蔽和磁場的作用，這些微點(diǎn)蒸發(fā)源在陰極靶區(qū)內(nèi)不規(guī)則地運(yùn)動。

1、所謂多弧離子鍍膜機(jī)是以多個(gè)電弧蒸發(fā)源為核心的離子鍍膜設(shè)備，又稱多弧鍍膜、電弧鍍膜、電弧鍍膜等，與其他鍍膜工藝相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

2、整機(jī)結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)效率高，工作周期短，適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。

3、涂層空間大。電弧蒸發(fā)源為固態(tài)，可靈活放置，無需額外加熱，工件安裝更換更方便。

4、工藝范圍廣。適用于較高真空度或較低環(huán)境溫度（200°C）下的反應(yīng)電鍍和離子鍍。

5、它具有優(yōu)良的膜性能。工件的轟擊加熱、清洗、沉積均采用離子金屬等離子體轟擊完成，實(shí)現(xiàn)“一弧三用”，膜層結(jié)構(gòu)致密，涂層與鍍件結(jié)合牢固。