磁控鍍膜機-磁控濺射有很多種。它們有不同的工作原理和應(yīng)用對象。但有一個共同點：利用磁場和電場的相互作用，電子會在靶表面盤旋，從而增加電子撞擊氬產(chǎn)生離子的概率。在電場的作用下，產(chǎn)生的離子與靶材表面發(fā)生碰撞，飛濺出靶材。

目標源可分為平衡型和非平衡型。平衡型靶源涂層均勻，非平衡型靶源涂層與基體附著力強。平衡靶主要用于半導體光學薄膜，而非平衡靶主要用于裝飾膜的佩戴。根據(jù)磁場結(jié)構(gòu)的分布，磁控管陰極大致可分為平衡磁控管陰極和非平衡磁控管陰極。平衡態(tài)磁控管陰極內(nèi)外磁體的磁通量大致相等。兩極磁力線靠近靶面，將電子/等離子體限制在靶面附近，增加了碰撞概率，提高了電離效率。因此，輝光放電可以在較低的工作壓力和電壓下啟動和維持，靶材的利用率較高。非平衡磁控濺射技術(shù)的概念是磁控陰極外極的磁通量大于內(nèi)極的磁通量，而兩極磁力線在靶面上并不是完全閉合的。一些磁力線可以沿著靶的邊緣延伸到基底區(qū)域，因此一些電子可以沿著磁力線延伸到基底區(qū)域，從而增加基底區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率，無論平衡或非平衡，如果磁鐵是靜止的，其磁場特性決定了一般靶材利用率不到30%。為了提高靶材的利用率，可以采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要一個旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，濺射速率應(yīng)降低。旋轉(zhuǎn)磁場主要用于大型或有價值的目標。如半導體薄膜濺射。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，通常采用磁性靜態(tài)目標源。

磁控管靶源濺射金屬及合金容易，點火、濺射方便。這是因為靶（陰極）、等離子體和飛濺的零件/真空腔可以形成一個回路。但如果陶瓷等絕緣體被濺射，電路就會斷開。所以人們采用高頻電源，在電路中加入一個強電容。這樣，目標成為絕緣電路中的電容器。但是，高頻磁控濺射電源價格昂貴，濺射速率小，接地技術(shù)復雜，難以大規(guī)模使用。為了解決這個問題，磁控反應(yīng)濺射技術(shù)應(yīng)運而生。即使用金屬靶，加入氬氣和氮氣或氧氣等反應(yīng)氣體。當金屬靶與零件碰撞時，由于能量轉(zhuǎn)換，它與反應(yīng)氣體結(jié)合形成氮化物或氧化物。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似簡單，但實際操作起來卻很困難。主要問題是反應(yīng)不僅發(fā)生在零件表面，而且發(fā)生在陽極、真空室和靶源表面。德國雷寶發(fā)明的雙靶技術(shù)很好地解決了這一問題。其原理是一對靶源相互連接，使陽極表面氧化或氮化。

冷卻對于所有的能源（磁控管、多弧、離子）都是必要的，因為大部分的能量都轉(zhuǎn)化為熱能。如果沒有冷卻或冷卻不足，熱量會使目標源的溫度達到1000度以上，從而使整個目標源熔化。